Micron เผยโรดแมป DRAM-NAND เลิกใช้เซลล์ 4F2 หันสู่ 3D DRAM และหน่วยความจำ custom สำหรับ AI

Micron เพิ่งเปิดเผยโรดแมป DRAM และ NAND สำหรับหลายปีข้างหน้า จุดที่น่าสนใจคือบริษัทตัดสินใจเลิกแผนทำเซลล์ DRAM แบบ 4F2 ซึ่งต่างจากคู่แข่งอย่าง CXMT, Samsung และ SK hynix โดยให้เหตุผลว่ายังไม่เห็นทางสเกลต่อให้คุ้มค่า

แทนที่จะไปทาง 4F2 Micron เลือกเดินหน้าด้วยเทคนิค wafer bonding, เทคโนโลยี High-NA EUV lithography, วัสดุใหม่ๆ และสุดท้ายคือ 3D DRAM กระบวนการรุ่นต่อไปที่ชื่อ 1δ กำลังอยู่ในขั้นปรับยีลด์ และจะเริ่มผลิตจริงในช่วงครึ่งหลังของปี 2027 โดยคาดว่าจะเพิ่มความหนาแน่นของบิตได้ราว 20% กว่าๆ จากรุ่น 1γ ปัจจุบัน

ส่วนรุ่นถัดไปอย่าง 1ε จะใช้ wafer bonding เต็มรูปแบบ ตามด้วย ζÅ ที่จะนำ High-NA EUV มาใช้จริงเป็นครั้งแรก ซึ่ง Micron ยอมรับว่าจะมาช้ากว่า Samsung และ SK hynix ที่วางแผนใช้เทคโนโลยีนี้ในปี 2028 โดย Micron คาดว่าจะเริ่มใช้ได้อย่างเร็วที่สุดก็ปี 2030

ที่ไกลที่สุดคือรุ่น ηÅ ซึ่งยังอยู่ในขั้นสำรวจแนวทาง และคู่กับการพัฒนา DRAM แบบ 3 มิติสองรุ่นที่ชื่อ 3D1 และ 3D2 ซึ่งจะใช้มิติแนวตั้งเพิ่มความหนาแน่นแทนการย่อขนาดเซลล์แบบเดิม Scott DeBoer ประธานฝ่ายเทคโนโลยีและผลิตภัณฑ์ของ Micron บอกว่าบริษัทต้องเลือกจังหวะเปิดตัว 3D DRAM ให้คุ้มทั้งต้นทุนและประสิทธิภาพ

อีกเรื่องที่น่าจับตาคือ Micron จะกลับมาทำหน่วยความจำแบบ custom อีกครั้ง เริ่มจาก HBM4E ที่จะมีทั้งรุ่นมาตรฐานและรุ่นออกแบบเฉพาะลูกค้า ตามด้วย custom HBM5E, vHBM และ vEIM สำหรับงาน AI โดยเฉพาะ DeBoer อธิบายว่าการย้ายลอจิกบางส่วนจาก ASIC ไปไว้ใกล้หน่วยความจำมากขึ้นจะช่วยให้ระบบโดยรวมมีประสิทธิภาพดีขึ้น

เมื่อเราออกแบบ base die ร่วมกัน ลอจิกบางส่วนที่ต้องการใส่ลงไปก็มักเป็นงานที่แบ่งมาจากวงจร GPU อยู่แล้ว เพื่อนำมันเข้าใกล้หน่วยความจำมากขึ้น การย้ายสิ่งที่สมเหตุสมผลไปไว้บน base die จะยังเป็นแนวทางในยุคของ vertical HBM ด้วยเช่นกัน