CXMT เผยจะเปิดตัว server DDR5 RDIMM แบบ 4F² ตัวแรกภายในสิ้นปี 2026

Cao Kanyu ประธาน CXMT ผู้ผลิต DRAM รายใหญ่ของจีน เปิดเผยตามรายงานของสำนักข่าว Yicai ว่าบริษัทคาดว่าจะเปิดตัวผลิตภัณฑ์ที่ใช้เทคโนโลยี 4F² ตัวแรกภายในสิ้นปีนี้ โดยเป็น DDR5 RDIMM สำหรับเซิร์ฟเวอร์ ยังไม่มีการเปิดเผยความเร็วหรือความจุของผลิตภัณฑ์ดังกล่าว

Cao กล่าวถึงเรื่องนี้ในงาน Integrated Chips and Chiplets Conference เมื่อวันเสาร์ โดยอธิบายว่าเทคโนโลยี 4F² ใช้โครงสร้าง cell ขนาด 2F คูณ 2F ซึ่งมีพื้นที่ประมาณ 2 ใน 3 ของ cell แบบ 6F² ที่ขนาดฟีเจอร์เดียวกัน CXMT ใช้ทรานซิสเตอร์แบบ Vertical Surrounded Gate (VSG) ที่ให้ channel ยืนในแนวตั้งและมี gate ล้อมรอบ ช่วยควบคุม gate ได้ดีขึ้นและลดการรั่วไหลของกระแส ซึ่งช่วยลดขนาด cell ลงราว 1 ใน 3 ตามทฤษฎี บริษัทระบุว่ามี patent families ที่เกี่ยวข้องกับเทคโนโลยีนี้แล้วมากกว่า 300 รายการ

ข่าวนี้เกิดขึ้นหลัง CXMT มีความคืบหน้าด้านการผลิตและส่วนแบ่งตลาดต่อเนื่อง โดยเปิดตัวแพลตฟอร์ม DRAM รุ่นที่ 5 หรือ G5 เมื่อ 20 กันยายน ซึ่งเข้าสู่การผลิตจำนวนมากแล้ว ขณะที่ TrendForce ระบุว่าส่วนแบ่งรายได้ DRAM ทั่วโลกของ CXMT อยู่ที่ 9.5% ในไตรมาสที่สอง เพิ่มจาก 7.6% ในไตรมาสแรก อยู่ในอันดับ 4 ของตลาด

ฝั่งคู่แข่งก็เคลื่อนไหวในทางเดียวกัน Samsung เปิดเผยดีไซน์ DRAM แบบ 4F² ขนาด 16Gb บนโปรเซส 10 นาโนเมตร ในงาน ISSCC 2026 เมื่อเดือนกุมภาพันธ์ ส่วน SK hynix ประกาศแผนพัฒนาแพลตฟอร์ม 4F² แบบ vertical-gate ในงาน VLSI 2025 ขณะที่ Micron ยังไม่มีท่าทีชัดเจนในปีนี้

อย่างไรก็ตาม CXMT ยังไม่เปิดเผยรายละเอียดเรื่องความจุ ความเร็ว ความหนาแน่นของ die โปรเซสที่ใช้ ลูกค้า หรือปริมาณการผลิต และยังไม่มีประกาศทางการในช่องข่าวทั้งภาษาจีนและอังกฤษของบริษัท รายงานจากเกาหลีใต้ยังระบุว่าผลิตภัณฑ์เริ่มต้นของ CXMT อาจใช้เทคโนโลยี 4F² เพียงบางส่วน และการผลิตให้ได้ปริมาณมากอย่างเสถียรยังเป็นความท้าทายแยกออกไปอีกเรื่อง โดยขณะนี้เหลือเวลาอีกราว 11 สัปดาห์ก่อนสิ้นปี