Micron เผยแผน NAND รุ่นใหม่ G11 เลเยอร์ทะลุ 400 ชั้น ความหนาแน่นเพิ่ม 2 เท่า

Micron เพิ่งเปิดเผยในงานอีเวนต์สัปดาห์นี้ว่ากำลังพัฒนา 3D NAND รุ่นใหม่ชื่อ G11 ซึ่งจะเริ่มผลิตจำนวนมากในช่วงครึ่งหลังของปี 2027 ครับ จุดเด่นคือความหนาแน่นของข้อมูลจะเพิ่มขึ้นเป็น 2 เท่าเมื่อเทียบกับรุ่น G9 ที่ใช้อยู่ตอนนี้

นอกจากความหนาแน่น Micron บอกว่าความเร็วอินพุต/เอาต์พุตจะเพิ่มขึ้นสูงสุดถึง 50% ส่วนการใช้พลังงานในการส่งข้อมูลต่อบิตจะลดลงมากกว่า 25% ซึ่งเป็นข่าวดีกับทั้ง SSD ความจุสูงทั่วไปและอุปกรณ์เก็บข้อมูลสำหรับงาน AI ที่ต้องการแบนด์วิดท์สูงและประหยัดพลังงาน

เทคโนโลยีสำคัญที่ทำให้ G11 ต่างจากรุ่นก่อนคือการใช้ wafer-on-wafer bonding ซึ่งเป็นวิธีที่ YMTC ใช้มาก่อน โดย Micron จะแยกผลิตส่วนอาร์เรย์ NAND กับส่วนวงจรรอบข้างบนเวเฟอร์คนละแผ่นด้วยเทคโนโลยีการผลิตคนละแบบ แล้วค่อยนำมาประกบกัน ทำให้ปรับแต่งแต่ละส่วนได้อิสระกว่าเดิม

อีกจุดที่น่าสนใจคือ G11 จะมีจำนวนเลเยอร์ NAND มากกว่า 400 ชั้น แม้ Micron ยังไม่เผยตัวเลขที่แน่ชัด แต่บอกว่าจะมีระยะห่างของเซลล์หน่วยความจำที่แน่นที่สุดในอุตสาหกรรม ซึ่งสะท้อนว่าความหนาแน่นที่เพิ่มขึ้นมาจากทั้งจำนวนเลเยอร์และขนาดเซลล์ที่เล็กลง

Scott DeBoer ประธานฝ่ายเทคโนโลยีและผลิตภัณฑ์ของ Micron บอกในงานอีเวนต์ว่าบริษัทรอจังหวะที่คุ้มค่าในการนำ wafer-on-wafer bonding มาใช้ และตอนนี้คือเวลาที่เหมาะสมแล้ว

So this G11 technology is the world's most advanced NAND. It will ramp in the second half of next year, and it is based on wafer-on-wafer bonding technology.

ส่วนแผนหลัง G11 นั้น Micron ยังไม่ลงรายละเอียด แต่บอกว่าจะเน้นพัฒนาวัสดุใหม่และโครงสร้างเซลล์ที่หนาแน่นขึ้น เพื่อให้สเกลได้ต่อไปโดยไม่ต้องพึ่งการเพิ่มจำนวนเลเยอร์เพียงอย่างเดียว ซึ่งบริษัทบอกว่าจะเผยรายละเอียดทางเทคนิคของ G11 เพิ่มในปี 2027 ก่อนเริ่มผลิตจริง